CMOS传感器和CCD传感器5种性能差异
CCD和CMOS传感器是两个常用的图像传感器，它们都使用光电二极管进行光电转换以将图像转换为数字数据。 主要区别在于数字数据传输的方式。
CCD传感器每行的每个像素的电荷数据将依次传输到下一个像素，从底部输出，然后由传感器边缘的放大器放大并输出； 而在CMOS传感器中，每个像素将与放大器和AD转换电路相邻，并以类似于存储电路的方式输出数据。
造成这种差异的原因：CCD的特殊处理可以确保数据在传输过程中不会失真，因此可以将每个像素的数据收集到边缘然后放大； 传输距离长时会产生CMOS工艺数据。 因此，必须先放大噪声，然后再对每个像素的数据进行积分
由于数据传输方法不同，因此CCD和CMOS传感器之间在性能和应用方面也存在许多差异。 这些差异包括以下5个差异：
1，灵敏度差异：
由于CMOS传感器的每个像素都由四个晶体管和一个光敏组件（包括放大器和AD转换电路）组成，因此每个像素的光敏面积都比像素本身的表面积小得多，因此在 在相同像素大小的情况下，CMOS传感器的灵敏度低于CCD传感器的灵敏度。
2，成本差异：
由于CMOS传感器将最常用的CMOS工艺用于一般的半导体电路，因此外围电路（例如GC，CDS，定时发生器或DSP等）可以轻松集成到传感器芯片中，从而可以节省外围芯片的成本 ; 另外，由于CCD使用电荷转移的方法来传输数据。 只要像素之一不能工作，就不能传输整个数据行。 因此，与CMOS传感器相比，控制CCD传感器的成品率要困难得多。 即使是经验丰富的制造商也很难生产产品。 CCD传感器在推出后的六个月内突破了50％的水平，其成本将高于CMOS传感器。
3，分辨率差异：
CMOS传感器的每个像素都比CCD传感器复杂，并且其像素大小很难达到CCD传感器的水平。 因此，当比较相同尺寸的CCD和CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常比CMOS传感器的分辨率要好。 的水平。 例如，市场上的CMOS传感器可以达到210万像素的水平（OmnOV2610，于2002年6月推出），其尺寸为12英寸，像素尺寸为4.25m，但是索尼的CX452在2002年，其尺寸类似于 OV2610差不多（11.8英寸），但是分辨率可以达到513万像素，像素大小仅为278mm。
4，噪音差异：
由于CMOS传感器的每个光敏二极管都需要配备一个放大器，并且该放大器是一个模拟电路，因此很难使每个放大器获得的结果保持一致。 因此，与在芯片边缘仅具有一个放大器的CCD传感器相比，CMOS传感器的噪声会大大增加并影响图像质量。
5，功耗差异：
CMOS传感器的图像获取方法已激活。 光电二极管产生的电荷将被晶体管直接放大并输出，但是CCD传感器是无源采集，并且需要一个外部电压来移动每个像素中的电荷，并且附加电压通常需要达到12-18Vv： 因此，除了用于CCD传感器的更困难的电源管理电路设计（需要电源IC）之外，高驱动电压还使其功耗大大高于CMOS传感器。 例如，Omnivision的OV7640（14英寸VGA，以30fps的速度运行，功耗仅为40mW；三洋公司推出的使用CCD传感器的1/7英寸CIF级产品具有其功能功耗仍然高于 90mW。因此，CCD比CMOS产生更多的热量，并且不能长时间在阳光下工作。
总之，在灵敏度，分辨率和噪声控制方面，CCD传感器优于CMOS传感器，而CMOS传感器具有低成本，低功耗和高集成度的特点。 但是，随着CCD和CMOS传感器技术的发展，两者之间的差异逐渐缩小。 例如，CCD传感器一直在改善功耗以应用于移动通信市场（该领域的代表产业是三洋）：CMOS传感器提高了其不足之处的分辨率和灵敏度，可应用于高端成像产品。
