压电陶瓷传感器可以用于测量纳米级（nm）至微米级（μm）的微小位移，主要基于逆压电效应（施加电压产生形变）或正压电效应（位移引起电荷变化）。以下是详细分析：
(1)逆压电效应驱动（主动测量）
原理：在压电陶瓷上施加电压，其会产生微米/纳米级形变，形变量与电压成正比：
适用场景：
·精密定位（如扫描探针显微镜、光学调整）。
·闭环控制（结合位移反馈传感器，如电容或激光干涉仪）。
(2)正压电效应检测（被动测量）
原理：当压电陶瓷受到微小位移（如振动、压力）时，其表面会产生电荷，电荷量与位移相关：
适用场景：
·动态位移测量（如振动传感器、声学检测）。
·高分辨率但需电荷放大器（避免电荷泄漏）。
