AD巨磁电阻的电阻值随着外电流的增加而减小，如果I增大，巨磁电阻的电阻值减小，根据闭合电路欧姆定律，电流I增加；路端电压U 1=E-Ir减小，电阻R 2的电压U 2=IR 2增加，即电压表V 1示数减小，电压表V 2示数增大，电流表A示数增加，A正确，B错误；C、D、如果I减小，巨磁电阻的电阻值增加，根据闭合电路欧姆定律，电流I减小；路端电压U 1=E-Ir增加，电阻R 2的电压U 2=IR 2减小，即电压表V 1示数增加，电压表V 2示数减小，电流表A示数减小，故C错误，D正确；
两种。根据调查巨磁电阻传感器的相关资料得知，巨磁电阻传感器常用的桥式结构只有大桥与小桥两种。巨磁阻又称特大磁电阻，即GMR，比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的:一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。
以下是几种利用材料的磁电效应制造对磁场敏感的传感器的常见材料和技术：磁阻传感器：这类传感器利用磁电阻效应，即材料的电阻随磁场的变化而变化。其中最常见的是巨磁阻效应（GMR）和磁电阻效应。这种传感器可以用来检测和测量磁场的强度和方向。磁电场传感器：这种传感器使用磁电效应中的自发磁电效应，即材料在磁场作用下产生形变，进而产生电势的变化。常用的材料包括压电磁体材料，如铁电体材料和磁电应力材料。这种传感器可以用于测量磁场的变化和磁场的强度。
算钢传感器：这种传感器利用霍尔效应，即材料中的载流子在磁场作用下发生偏转，导致电荷的分离，形成电压差。晶体管材料通常用于制造这种类型的传感器。算钢传感器可以检测和测量磁场强度，并且具有相对较高的灵敏度。磁电复合材料传感器：这类传感器结合了磁阻效应和压电效应。它们利用磁场对磁电复合材料的力学和电学性质的耦合效应进行测量。这种传感器具有较高的灵敏度和较宽的测量范围。
